Биполярный транзистор RT3TLLM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RT3TLLM
Маркировка: TLL
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SC-88
RT3TLLM Datasheet (PDF)
1.1. rt3tllm.pdf 
Size:175K _upd
PRELIMINARY RT3TLLM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit：mm RT3TLLM is compound transistor built with RT1N230 chip and RT1P230 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin
Другие транзисторы... 2SC431 , 2SC4310 , 2SC4311 , 2SC4312 , 2SC4313 , 2SC4314 , 2SC4315 , 2SC4316 , BC147 , 2SC4318 , 2SC432 , 2SC4320 , 2SC4321 , 2SC4322 , 2SC4323 , 2SC4324 , 2SC4325 .
