Биполярный транзистор RT3TLLM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RT3TLLM
Маркировка: TLL
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SC-88
RT3TLLM Datasheet (PDF)
1.1. rt3tllm.pdf 
Size:175K _upd
PRELIMINARY RT3TLLM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit：mm RT3TLLM is compound transistor built with RT1N230 chip and RT1P230 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin
Другие транзисторы... RT3T77M , RT3TAAM , RT3TBBM , RT3TCCM , RT3TDDM , RT3TFFM , RT3TGGM , RT3THHM , 2SC1815 , RT3TSSM , RT3TTTM , RT3X99M , RT3XAAM , RT5N136C , RT5N140C , RT5N141C , RT5N141S .
