RT5N333C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RT5N333C
Código: N8
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 3.3 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.33
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 56
Empaquetado / Estuche: SC-59
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RT5N333C
RT5N333C Datasheet (PDF)
1.1. rt5n333c.pdf 
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RT5N333C Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit: mm RT5N333C is a one chip transistor with built-in bias resistor, PNP type is RT5P333C. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor （R =3.3kΩ, R =10kΩ） 1 2 High collector current （Ic=0.5A） ① Mini package for easy mounting ② ③
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