RT5N333C Todos los transistores

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RT5N333C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT5N333C

Código: N8

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 3.3 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.33

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 200 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 56

Empaquetado / Estuche: SC-59

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RT5N333C Datasheet (PDF)

1.1. rt5n333c.pdf Size:135K _upd

RT5N333C
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 RT5N333C Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit: mm RT5N333C is a one chip transistor with built-in bias resistor, PNP type is RT5P333C. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor (R =3.3kΩ, R =10kΩ) 1 2 High collector current (Ic=0.5A) ① Mini package for easy mounting ② ③

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