RT5N333C Todos los transistores

 

RT5N333C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT5N333C
   Código: N8
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 3.3 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.33

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 56
   Paquete / Cubierta: SC-59
 

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RT5N333C Datasheet (PDF)

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RT5N333C

RT5N333C Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit: mm RT5N333C is a one chip transistor with built-in bias resistor, PNP type is RT5P333C. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor R =3.3k, R =10k 1 2High collector current Ic=0.5A Mini package for easy mounting

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