RT5N333C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT5N333C

Маркировка: N8

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 3.3 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.33

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SC-59

 Аналоги (замена) для RT5N333C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT5N333C даташит

 ..1. Size:135K  isahaya
 rt5n333c.pdf pdf_icon

RT5N333C

RT5N333C Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT5N333C is a one chip transistor with built-in bias resistor, PNP type is RT5P333C. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor R =3.3k , R =10k 1 2 High collector current Ic=0.5A Mini package for easy mounting

Другие транзисторы: RT5N141C, RT5N141S, RT5N14BC, RT5N227C, RT5N230C, RT5N231C, RT5N234C, RT5N234S, TIP31, RT5N430C, RT5N431C, UN211L, RT5P136C, RT5P141C, RT5P14BC, RT5P230C, RT5P231C