RT5P231C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT5P231C

Código: P2

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 2.2 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 39

Encapsulados: SC-59

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RT5P231C datasheet

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RT5P231C

RT5P231C Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm 2.8 RT5P231C is a one chip transistor with built-in bias 0.65 1.5 0.65 resistor. FEATURE Built-in bias resistor R =2.2k , R =2.2k 1 2 High collector current Ic=-0.5A Mini package for easy mounting APPLICATION Inve

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RT5P231C

RT5P234C Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT5P234C is a one chip transistor with built-in bias 2.8 0.65 1.5 0.65 resistor, NPN type is RT5N234C. FEATURE Built-in bias resistor R =2.2k , R =10k 1 2 High collector current Ic=-0.5A Mini package for easy mounting

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RT5P231C

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