RT5P231C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RT5P231C
   Código: P2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 2.2 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 39
   Paquete / Cubierta: SC-59

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RT5P231C

RT5P231C Datasheet (PDF)

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RT5P231C Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon PNP Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit: mm 2.8 RT5P231C is a one chip transistor with built-in bias 0.65 1.5 0.65 resistor. FEATURE Built-in bias resistor R =2.2k, R =2.2k 1 2High collector current Ic=-0.5A Mini package for easy mounting APPLICATION Inve

8.1. Size:165K isahaya
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RT5P234C Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon PNP Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit: mm RT5P234C is a one chip transistor with built-in bias 2.8 0.65 1.5 0.65 resistor, NPN type is RT5N234C. FEATURE Built-in bias resistor R =2.2k, R =10k 1 2High collector current Ic=-0.5A Mini package for easy mounting

8.2. Size:255K isahaya
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