Биполярный транзистор RT5P231C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RT5P231C
Маркировка: P2
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 39
Корпус транзистора: SC-59
RT5P231C Datasheet (PDF)
rt5p231c.pdf
RT5P231C Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon PNP Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit: mm 2.8 RT5P231C is a one chip transistor with built-in bias 0.65 1.5 0.65 resistor. FEATURE Built-in bias resistor R =2.2k, R =2.2k 1 2High collector current Ic=-0.5A Mini package for easy mounting APPLICATION Inve
rt5p234c.pdf
RT5P234C Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon PNP Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit: mm RT5P234C is a one chip transistor with built-in bias 2.8 0.65 1.5 0.65 resistor, NPN type is RT5N234C. FEATURE Built-in bias resistor R =2.2k, R =10k 1 2High collector current Ic=-0.5A Mini package for easy mounting
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050