RT5P231C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT5P231C

Маркировка: P2

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 39

Корпус транзистора: SC-59

 Аналоги (замена) для RT5P231C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT5P231C даташит

 ..1. Size:146K  isahaya
 rt5p231c.pdf pdf_icon

RT5P231C

RT5P231C Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm 2.8 RT5P231C is a one chip transistor with built-in bias 0.65 1.5 0.65 resistor. FEATURE Built-in bias resistor R =2.2k , R =2.2k 1 2 High collector current Ic=-0.5A Mini package for easy mounting APPLICATION Inve

 8.1. Size:165K  isahaya
 rt5p234c.pdf pdf_icon

RT5P231C

RT5P234C Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT5P234C is a one chip transistor with built-in bias 2.8 0.65 1.5 0.65 resistor, NPN type is RT5N234C. FEATURE Built-in bias resistor R =2.2k , R =10k 1 2 High collector current Ic=-0.5A Mini package for easy mounting

 8.2. Size:255K  isahaya
 rt5p230c.pdf pdf_icon

RT5P231C

Другие транзисторы: RT5N333C, RT5N430C, RT5N431C, UN211L, RT5P136C, RT5P141C, RT5P14BC, RT5P230C, TIP42, RT5P234C, RT5P430C, RT5P431C, RT5P431S, RTAN140C, RTAN140M, RTAN140U, RTAN230C