RT5P430C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RT5P430C
Código: PA
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SC-59
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RT5P430C
RT5P430C Datasheet (PDF)
rt5p431c.pdf
RT5P431C Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon PNP Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit: mm 2.8 RT5P431C is a one chip transistor with built-in bias 0.65 1.5 0.65 resistor. FEATURE Built-in bias resistor R =4.7k, R =4.7k 1 2High collector current Ic=-0.5A Mini package for easy mounting APPLICATION Inve
rt5p431s.pdf
RT5P431S Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon PNP Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit: mm RT5P431S is a one chip transistor with built-in bias 4.0 resistor. FEATURE Built-in bias resistor R =4.7k, R =4.7k 1 20.1 High collector current Ic=-0.5A 0.45 Mini package for easy mounting 2.5 2.5 APPLICATION Inverted circ
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History: 2SC899
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