RT5P430C Todos los transistores

 

RT5P430C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT5P430C
   Código: PA
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SC-59
 

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RT5P430C Datasheet (PDF)

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RT5P430C

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RT5P430C

RT5P431C Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon PNP Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit: mm 2.8 RT5P431C is a one chip transistor with built-in bias 0.65 1.5 0.65 resistor. FEATURE Built-in bias resistor R =4.7k, R =4.7k 1 2High collector current Ic=-0.5A Mini package for easy mounting APPLICATION Inve

 8.2. Size:146K  isahaya
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RT5P430C

RT5P431S Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon PNP Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit: mm RT5P431S is a one chip transistor with built-in bias 4.0 resistor. FEATURE Built-in bias resistor R =4.7k, R =4.7k 1 20.1 High collector current Ic=-0.5A 0.45 Mini package for easy mounting 2.5 2.5 APPLICATION Inverted circ

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History: SMUN5315DW | S1619 | ZXTN5551Z

 

 
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