RTBN432AP1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RTBN432AP1
Código: NH
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.47
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
Paquete / Cubierta: SC-62
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RTBN432AP1
RTBN432AP1 Datasheet (PDF)
rtbn432ap1.pdf
SMALL-SIGNAL TRANSISTORPRELIMINARY RTBN432AP1 NoticeThis is not a final specification Some parametric are subject to change. TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm RTBN432AP1 is a one chip transistor with built-in bias transistor. 4.6 MAX1.51.6FEATURE Built-in bias resistor
rtbn426ap1.pdf
SMALL-SIGNAL TRANSISTORPRELIMINARY RTBN426AP1 NoticeThis is not a final specification Some parametric are subject to change. TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm RTBN426AP1 is a one chip transistor with built-in bias transistor. 4.6 MAX1.51.6FEATURE Built-in bias resistor
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