RTGN226AP Todos los transistores

 

RTGN226AP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RTGN226AP
   Código: NF
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 0.22 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 2.2 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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RTGN226AP Datasheet (PDF)

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RTGN226AP

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN226AP TRANSISTOR WITH RESISTORFOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING Unitmm DISCRIPTION RTGN226AP is a one chip transistor with 4.6 MAX1.5built-in bias transistor. 1.6FEATURE Built-in bias resistor R1=0.22k,R2=2.2k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E CB0.8 MIN Bui

 9.1. Size:158K  isahaya
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RTGN226AP

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN234AP TRANSISTOR WITH RESISTORFOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING Unitmm DISCRIPTION RTGN234AP is a one chip transistor with 4.6 MAX1.5built-in bias transistor. 1.6FEATURE Built-in bias resistor R1=2.2k,R2=10k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E CB0.8 MIN Bui

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History: S1272 | D44VM2 | 3DD4202BD | DZT955 | 2SD1415A

 

 
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