RTGN226AP Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RTGN226AP

Código: NF

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 0.22 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 2.2 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT89

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RTGN226AP datasheet

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RTGN226AP

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN226AP TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE OUTLINE DRAWING Unit mm DISCRIPTION RTGN226AP is a one chip transistor with 4.6 MAX 1.5 built-in bias transistor. 1.6 FEATURE Built-in bias resistor R1=0.22k ,R2=2.2k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E C B 0.8 MIN Bui

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RTGN226AP

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN234AP TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE OUTLINE DRAWING Unit mm DISCRIPTION RTGN234AP is a one chip transistor with 4.6 MAX 1.5 built-in bias transistor. 1.6 FEATURE Built-in bias resistor R1=2.2k ,R2=10k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E C B 0.8 MIN Bui

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