RTGN226AP - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

RTGN226AP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RTGN226AP
   Маркировка: NF
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналоги (замена) для RTGN226AP

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RTGN226AP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  isahaya
 rtgn226ap.pdf pdf_icon

RTGN226AP

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN226AP TRANSISTOR WITH RESISTORFOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING Unitmm DISCRIPTION RTGN226AP is a one chip transistor with 4.6 MAX1.5built-in bias transistor. 1.6FEATURE Built-in bias resistor R1=0.22k,R2=2.2k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E CB0.8 MIN Bui

 9.1. Size:158K  isahaya
 rtgn234ap.pdf pdf_icon

RTGN226AP

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN234AP TRANSISTOR WITH RESISTORFOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING Unitmm DISCRIPTION RTGN234AP is a one chip transistor with 4.6 MAX1.5built-in bias transistor. 1.6FEATURE Built-in bias resistor R1=2.2k,R2=10k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E CB0.8 MIN Bui

Другие транзисторы... RTBN14BAP1 , RTBN226AP1 , RTBN234AP1 , RTBN426AP1 , RTBN432AP1 , RTGN131AP , RTGN141AP , RTGN14BAP , D667 , RTGN234AP , RTGN426AP , RTGN432P , UMB10NFHA , UMB11NFHA , UMB2NFHA , UMB3NFHA , UMB4NFHA .

History: BC239BP | 2N3569

 

 
Back to Top

 


 
.