RTGN226AP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RTGN226AP

Маркировка: NF

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для RTGN226AP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RTGN226AP даташит

 ..1. Size:139K  isahaya
 rtgn226ap.pdf pdf_icon

RTGN226AP

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN226AP TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE OUTLINE DRAWING Unit mm DISCRIPTION RTGN226AP is a one chip transistor with 4.6 MAX 1.5 built-in bias transistor. 1.6 FEATURE Built-in bias resistor R1=0.22k ,R2=2.2k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E C B 0.8 MIN Bui

 9.1. Size:158K  isahaya
 rtgn234ap.pdf pdf_icon

RTGN226AP

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN234AP TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE OUTLINE DRAWING Unit mm DISCRIPTION RTGN234AP is a one chip transistor with 4.6 MAX 1.5 built-in bias transistor. 1.6 FEATURE Built-in bias resistor R1=2.2k ,R2=10k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E C B 0.8 MIN Bui

Другие транзисторы: RTBN14BAP1, RTBN226AP1, RTBN234AP1, RTBN426AP1, RTBN432AP1, RTGN131AP, RTGN141AP, RTGN14BAP, BC547B, RTGN234AP, RTGN426AP, RTGN432P, UMB10NFHA, UMB11NFHA, UMB2NFHA, UMB3NFHA, UMB4NFHA