UMB6NFHA Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMB6NFHA

Código: B6

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 68

Encapsulados: SOT-353

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UMB6NFHA datasheet

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UMB6NFHA

EMB6 / UMB6N EMB6FHA / UMB6NFHA Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCC -50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) -100mA (2) (2) (3) (3) R1 47kW EMB6 UMB6N EMB6FHA UMB6NFHA R2 47kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) lFeatures lInner circui

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UMB6NFHA

UMB6N / IMB Transistors Transistors UMH6N / IMH

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UMB6NFHA

EMB6 / UMB6N Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB6 / UMB6N External dimensions (Unit mm) Feature 1) Two DTA144E chips in a EMT or UMT package. EMB6 (4) (3) ( ) ( ) 5 2 ( ) ( ) 6 1 1.2 Equivalent circuit 1.6 EMB6 / UMB6N (3) (2) (1) Each lead has same dimensions R1 ROHM EMT6 R2 R2 DTr1 DTr2 R1 R1=47k UMB6N R2=47k (4) (5) (6)

Otros transistores... RTGN234AP, RTGN426AP, RTGN432P, UMB10NFHA, UMB11NFHA, UMB2NFHA, UMB3NFHA, UMB4NFHA, D882P, UMC2NT1G, UMC3NT1G, UMC5NT1G, UMD12N, UMD12NFHA, UMD22N, UMD22NFHA, UMD2NFHA