UMB6NFHA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UMB6NFHA

Маркировка: B6

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SOT-353

 Аналоги (замена) для UMB6NFHA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMB6NFHA даташит

 ..1. Size:1233K  rohm
 umb6nfha.pdf pdf_icon

UMB6NFHA

EMB6 / UMB6N EMB6FHA / UMB6NFHA Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCC -50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) -100mA (2) (2) (3) (3) R1 47kW EMB6 UMB6N EMB6FHA UMB6NFHA R2 47kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) lFeatures lInner circui

 9.1. Size:36K  rohm
 umb6n imb6a b6 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

UMB6NFHA

UMB6N / IMB Transistors Transistors UMH6N / IMH

 9.2. Size:61K  rohm
 umb6-umb6n umb6n.pdf pdf_icon

UMB6NFHA

EMB6 / UMB6N Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB6 / UMB6N External dimensions (Unit mm) Feature 1) Two DTA144E chips in a EMT or UMT package. EMB6 (4) (3) ( ) ( ) 5 2 ( ) ( ) 6 1 1.2 Equivalent circuit 1.6 EMB6 / UMB6N (3) (2) (1) Each lead has same dimensions R1 ROHM EMT6 R2 R2 DTr1 DTr2 R1 R1=47k UMB6N R2=47k (4) (5) (6)

Другие транзисторы: RTGN234AP, RTGN426AP, RTGN432P, UMB10NFHA, UMB11NFHA, UMB2NFHA, UMB3NFHA, UMB4NFHA, D882P, UMC2NT1G, UMC3NT1G, UMC5NT1G, UMD12N, UMD12NFHA, UMD22N, UMD22NFHA, UMD2NFHA