UMH14NFHA Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMH14NFHA

Código: H14

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT-353

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UMH14NFHA datasheet

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UMH14NFHA

UMH14N / IMH14A UMH14NFHA / IMH14AFRA Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline UMT6 SMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (4) (6) (5) (5) (6) (4) VCEO 50V (3) (1) IC 100mA (2) (2) (1) (3) R1 47kW UMH14NFHA IMH14AFRA UMH14N IMH14A SOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74) lFeatures lInner circuit Collect

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UMH14NFHA

UMH14N / IMH14A UMH14NFHA / IMH14AFRA Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline UMT6 SMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (4) (6) (5) (5) (6) (4) VCEO 50V (3) (1) IC 100mA (2) (2) (1) (3) R1 47kW UMH14NFHA IMH14AFRA UMH14N IMH14A SOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74) lFeatures lInner circuit Collect

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UMH14NFHA

UMH14N / IMH14A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline UMT6 SMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (4) (6) (5) (5) (6) (4) VCEO 50V (3) (1) IC 100mA (2) (2) (1) (3) R1 47kW UMH14N IMH14A SOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74) lFeatures lInner circuit Collector 1) Built-In Biasing Resistors. Base Collector

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UMH14NFHA

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