UMH8NFHA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMH8NFHA  📄📄 

Código: H8

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT-353

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UMH8NFHA datasheet

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UMH8NFHA

UMH8NFHA / IMH8AFRA UMH8N / IMH8A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline UMT6 SMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (4) (6) (5) (5) (6) (4) VCEO 50V (3) (1) IC 100mA (2) (2) (1) (3) R1 10kW UMH8NFHA IMH8AFRA UMH8N IMH8A SOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74) lFeatures lInner circuit 1) Built-In Bia

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UMH8NFHA

UMH8NFHA / IMH8AFRA UMH8N / IMH8A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline UMT6 SMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (4) (6) (5) (5) (6) (4) VCEO 50V (3) (1) IC 100mA (2) (2) (1) (3) R1 10kW UMH8NFHA IMH8AFRA UMH8N IMH8A SOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74) lFeatures lInner circuit 1) Built-In Bia

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UMH8NFHA

UMH8N / IMH8A Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH8N / IMH8A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT package. UMH8N 1.25 Equivalent circuits 2.1 UMH8N IMH8A (3) (2) (1) (4) (5) (6) 0.1Min. R1 R1 ROHM UMT6 Each lead has same dimensions EIAJ SC-88 R1 R1 (4) (5) (6) (3) (2) (1) R1=10k R1=10k

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UMH8NFHA

(96-448-A114T)

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