3DD5287 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD5287
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 900 V
Tensión colector-emisor (Vce): 600 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO-3PHIS
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3DD5287 Datasheet (PDF)
3dd5287.pdf

NO>e'Y{X[vSgWvfSO{ CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5287 FOR LOW FREQUENCY R3DD5287 \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 900 V BV CBO5 A I C0.5 V(max) V
3dd523.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD523DESCRIPTIONExcellent safe operating areaLow Collector-Emitter Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose switching and amplifierapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 15
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: BD107 | 2SC2763 | MMS9013-H | DRA3A23Y | 3DG3545 | EN4125 | MMBT2907AM3T5G
History: BD107 | 2SC2763 | MMS9013-H | DRA3A23Y | 3DG3545 | EN4125 | MMBT2907AM3T5G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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