3DD5287 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD5287  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 900 V

Tensión colector-emisor (Vce): 600 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO-3PHIS

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3DD5287 datasheet

 ..1. Size:172K  jilin sino
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3DD5287

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3DD5287

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD523 DESCRIPTION Excellent safe operating area Low Collector-Emitter Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 15

Otros transistores... UMH6NFHA, UMH8NFHA, UMH9NFHA, US6H23, 2SC9014, 3DD4212DT, 3DD2499, E3150, TIP42C, MP1526, SMUN5335DW, KRC663E, KRC664E, 2SA1897, 2SC5966, 2SC6092LS, 3DD4204D