3DD5287 - описание и поиск аналогов

 

3DD5287 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3DD5287
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO-3PHIS

 Аналоги (замена) для 3DD5287

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD5287 - технические параметры

 ..1. Size:172K  jilin sino
 3dd5287.pdf pdf_icon

3DD5287

 9.1. Size:202K  inchange semiconductor
 3dd523.pdf pdf_icon

3DD5287

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD523 DESCRIPTION Excellent safe operating area Low Collector-Emitter Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 15

Другие транзисторы... UMH6NFHA , UMH8NFHA , UMH9NFHA , US6H23 , 2SC9014 , 3DD4212DT , 3DD2499 , E3150 , TIP42C , MP1526 , SMUN5335DW , KRC663E , KRC664E , 2SA1897 , 2SC5966 , 2SC6092LS , 3DD4204D .

History: LDTA113TKT1G | 3DG3330

 

 
Back to Top

 


 
.