SMUN5335DW Todos los transistores

 

SMUN5335DW . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMUN5335DW

Código: 35

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 80

Empaquetado / Estuche: SOT-363

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SMUN5335DW Datasheet (PDF)

4.1. smun5311dw series.pdf Size:327K _secos

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SMUN5311DW Series NPN / PNP Digital Small Signal Transistors Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” indicates halogen-free. DESCRIPTION SOT-363 The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are

5.1. smun52xxdw.pdf Size:477K _secos

SMUN5335DW
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SMUN52XXDW NPN Multi-Chip Elektronische Bauelemente Built-in Resistors Transistor The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor SOT-363 with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series o .055(1.40) 8 base resistor and a base–emitter resistor. These digital transistors are .047(1.20) 0o .026TYP designed to replace a single device and its exte

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Liste

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BJT: CHDTC114EKPT | CE1A3Q | 2SC6089 | 2SC4714 | 2SD1047C | 2SB817C | FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 |

 

 

 
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