Справочник транзисторов. SMUN5335DW

 

Биполярный транзистор SMUN5335DW - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: SMUN5335DW

Маркировка: 35

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

Корпус транзистора: SOT-363

Аналоги (замена) для SMUN5335DW

 

 

SMUN5335DW Datasheet (PDF)

4.1. smun5311dw series.pdf Size:327K _secos

SMUN5335DW
SMUN5335DW

SMUN5311DW Series NPN / PNP Digital Small Signal Transistors Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” indicates halogen-free. DESCRIPTION SOT-363 The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are

5.1. smun52xxdw.pdf Size:477K _secos

SMUN5335DW
SMUN5335DW

SMUN52XXDW NPN Multi-Chip Elektronische Bauelemente Built-in Resistors Transistor The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor SOT-363 with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series o .055(1.40) 8 base resistor and a base–emitter resistor. These digital transistors are .047(1.20) 0o .026TYP designed to replace a single device and its exte

Другие транзисторы... UMH33N , UMH3NFHA , UMH4NFHA , UMH5NFHA , UMH6NFHA , UMH8NFHA , UMH9NFHA , US6H23 , 2SC945 , 3DD4212DT , 3DD2499 , E3150 , 3DD5287 , MP1526 , SMUN5335DW , KRC663E , KRC664E .

 

 

Back to Top