STC8050N Todos los transistores

 

STC8050N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STC8050N

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 180 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 19 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 85

Empaquetado / Estuche: TO-92N

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar STC8050N

 

STC8050N Datasheet (PDF)

1.1. stc8050n.pdf Size:242K _update_bjt

STC8050N
STC8050N

STC8050N Semiconductor Semiconductor NPN Silicon Transistor Descriptions • High current application • Radio in class B push-pull operation Feature • Complementary pair with STA8550N Ordering Information Type NO. Marking Package Code STC8050N STC8050 TO-92N Outline Dimensions unit : mm 4.20~4.40 2.25 Max. 0.52 Max. 0.90 Max. 1.27 Typ. 0.40 Max. 1 2 3 3.55

1.2. stc8050n.pdf Size:242K _blue-rocket-elect

STC8050N
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STC8050N Semiconductor Semiconductor NPN Silicon Transistor Descriptions • High current application • Radio in class B push-pull operation Feature • Complementary pair with STA8550N Ordering Information Type NO. Marking Package Code STC8050N STC8050 TO-92N Outline Dimensions unit : mm 4.20~4.40 2.25 Max. 0.52 Max. 0.90 Max. 1.27 Typ. 0.40 Max. 1 2 3 3.55

 

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