3DD313 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD313
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 65 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de 3DD313
3DD313 PDF detailed specifications
3dd313.pdf
2SD313(3DD313) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Low frequency power amplifier applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 60 V CEO V 5.0 V EBO I 3.0 A C I 8.0 A CP P (T =25 ) 1.75 W C a P (T =25 ) 30 W C C T 150 ... See More ⇒
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Liste
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