3DD313 Todos los transistores

 

3DD313 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD313
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 65 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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3DD313 Datasheet (PDF)

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3DD313

2SD313(3DD313) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Low frequency power amplifier applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 60 V CEO V 5.0 V EBO I 3.0 A C I 8.0 A CPP (T =25) 1.75 W C a P (T =25) 30 W C CT 150

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3DD313

NPN R 3DD3145 A6 3DD3145 A6 NPN VCEO 600 V IC 1.3 A Ptot TC=25 50 W

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 3dd3145 a8.pdf pdf_icon

3DD313

NPN R 3DD3145 A8 3DD3145 A8 NPN VCEO 700 V IC 1.3 A Ptot W TC=25 60

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 3dd3150 a8.pdf pdf_icon

3DD313

NPN R 3DD3150 A8 3DD3150 A8 NPN VCEO 800 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

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