3DD313 Todos los transistores

 

3DD313 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD313

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 8 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 65 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 40

Empaquetado / Estuche: TO220

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DD313

 

3DD313 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd313.pdf Size:358K _update_bjt

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2SD313(3DD313) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于低频功率放大。 Purpose: Low frequency power amplifier applications. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 60 V CEO V 5.0 V EBO I 3.0 A C I 8.0 A CP P (T =25℃) 1.75 W C a P (T =25℃) 30 W C C T 150 ℃

5.1. 3dd3150 a8.pdf Size:153K _crhj

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD3150 A8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD3150 A8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 800 V 该产品 ● 高温特性好 IC 3 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W (TC=25℃) 40 结构和

5.2. 3dd3145 a8.pdf Size:153K _crhj

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD3145 A8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD3145 A8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 700 V 该产品 ● 高温特性好 IC 1.3 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W (TC=25℃) 60 结构

 5.3. 3dd3145 a6.pdf Size:151K _crhj

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD3145 A6 产品概述 特征参数 产品特点 3DD3145 A6 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 600 V 该产品 ● 高温特性好 IC 1.3 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot (TC=25℃) 50 W 结构和

5.4. 3dd31.pdf Size:138K _china

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TIP31(3DD31) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于中功率线性开关。 Purpose: Medium power linear switching applications. 特点:与 TIP32(3CD32)互补。 Features: Complement to TIP32(3CD32). 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit Symbol Rating Unit TIP31 40 V 5.

 5.5. 3dd31a.pdf Size:138K _china

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TIP31(3DD31) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于中功率线性开关。 Purpose: Medium power linear switching applications. 特点:与 TIP32(3CD32)互补。 Features: Complement to TIP32(3CD32). 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit Symbol Rating Unit TIP31 40 V 5.

5.6. 3dd31ct4.pdf Size:103K _china

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锦州辽晶电子科技有限公司 LJ2015-46 3DD31CT4 型 NPN 硅大功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 P T =25℃ 1 W tot A I 3 A C I 5 A CM T 150 ℃ jm T -55~150 ℃ stg V I =1mA ≥100 V (BR)CBO CB V I =1mA ≥100 V (BR)CEO CE V I =1mA ≥5.0 V (BR)EBO EB I V =60V ≤50 μA CEO CB I V =5V ≤0.1 mA EBO CE 直 流 I =3A C 参 V ≤1.2 V C

5.7. 3dd3145a6.pdf Size:148K _china

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD3145 A6 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD3145 A6 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 600 V 该产品 ● 高温特性好 IC 1.3 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W (TC=25℃) 50 结构

5.8. 3dd3150a.pdf Size:346K _china

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2SC3150A(3DD3150A) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于开关电源。 Purpose: Switching regulator applications. 特点:击穿电压高,开关速度快,宽阔的安全区。 Features: High V , high speed switching, wide ASO. CEO 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 1000 V CBO V 750 V

5.9. 3dd3150a8.pdf Size:153K _china

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD3150 A8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD3150 A8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 800 V 该产品 ● 高温特性好 IC 3 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W (TC=25℃) 40 结构和

5.10. 3dd3145a8.pdf Size:152K _china

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD3145 A8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD3145 A8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 700 V 该产品 ● 高温特性好 IC 1.3 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W (TC=25℃) 60 结构

5.11. 3dd31c.pdf Size:138K _china

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TIP31(3DD31) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于中功率线性开关。 Purpose: Medium power linear switching applications. 特点:与 TIP32(3CD32)互补。 Features: Complement to TIP32(3CD32). 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit Symbol Rating Unit TIP31 40 V 5.

5.12. 3dd31b.pdf Size:138K _china

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TIP31(3DD31) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于中功率线性开关。 Purpose: Medium power linear switching applications. 特点:与 TIP32(3CD32)互补。 Features: Complement to TIP32(3CD32). 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit Symbol Rating Unit TIP31 40 V 5.

Otros transistores... 2SC619 , 2SC62 , 2SC620 , 2SC620M , 2SC621 , 2SC621A , 2SC621M , 2SC622 , 2N5401 , 2SC623 , 2SC624 , 2SC626 , 2SC627 , 2SC627F , 2SC628 , 2SC629 , 2SC63 .

 

 
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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: CHDTC114EKPT | CE1A3Q | 2SC6089 | 2SC4714 | 2SD1047C | 2SB817C | FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 |

 

 

 
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