3DD313 datasheet, аналоги, параметры транзистора

3DD313 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD313 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 3DD313

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

3DD313 даташит

..1. Size:358K lzg
3dd313.pdf pdf_icon

2SD313(3DD313) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Low frequency power amplifier applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 60 V CEO V 5.0 V EBO I 3.0 A C I 8.0 A CP P (T =25 ) 1.75 W C a P (T =25 ) 30 W C C T 150

9.1. Size:151K crhj
3dd3145 a6.pdf pdf_icon