3DD313 - описание и поиск аналогов

 

3DD313 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3DD313
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 3DD313

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD313 - технические параметры

 ..1. Size:358K  lzg
3dd313.pdfpdf_icon

3DD313

2SD313(3DD313) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Low frequency power amplifier applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 60 V CEO V 5.0 V EBO I 3.0 A C I 8.0 A CP P (T =25 ) 1.75 W C a P (T =25 ) 30 W C C T 150

 9.1. Size:151K  crhj
3dd3145 a6.pdfpdf_icon

3DD313

 9.2. Size:153K  crhj
3dd3145 a8.pdfpdf_icon

3DD313

 9.3. Size:153K  crhj
3dd3150 a8.pdfpdf_icon

3DD313

Другие транзисторы... 2SA1897 , 2SC5966 , 2SC6092LS , 3DD4204D , CHT847BWPT , STC8050N , XP6111 , 3DD209L , S8550 , 3DD2102 , 3DD2901 , 3DD5027 , AV8050S , BFR360F , HLD133D , MP1620 , MRF660 .

 

 
Back to Top

 


 
.