DC8550E Todos los transistores

 

DC8550E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DC8550E

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 250

Empaquetado / Estuche: TO92

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar DC8550E

 

DC8550E Datasheet (PDF)

4.1. dc8550.pdf Size:64K _update_bjt

DC8550E

DC COMPONENTS CO., LTD. DC8550 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation. TO-92 Pinning .190(4.83) 1 = Emitter .170(4.33) 2 = Base 2oTyp 3 = Collector .190(4.83) .170(4.33) 2oTyp Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .500 Characterist

5.1. fdc855n.pdf Size:279K _fairchild_semi

DC8550E
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January 2008 FDC855N tm Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET 30V, 6.1A, 27m? Features General Description Max rDS(on) = 27m? at VGS = 10V, ID = 6.1A This N-Channel Logic Level MOSFET is an efficient solution for low voltage and battery powered applications. Utilizing Fairchild Max rDS(on) = 36m? at VGS = 4.5V, ID = 5.3A Semiconductors advanced PowerTrench process, thi

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