DC8550E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DC8550E
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar DC8550E
DC8550E Datasheet (PDF)
dc8550.pdf
DC COMPONENTS CO., LTD.DC8550DISCRETE SEMICONDUCTORSRTECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionDesigned for use in 2W output amplifier of portableradios in class B push-pull operation.TO-92Pinning.190(4.83)1 = Emitter.170(4.33)2 = Base2oTyp3 = Collector.190(4.83).170(4.33)2oTypAbsolute Maximum Ratings(TA=25oC).500Characterist
fdc855n.pdf
January 2008FDC855NtmSingle N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET 30V, 6.1A, 27mFeatures General Description Max rDS(on) = 27m at VGS = 10V, ID = 6.1A This N-Channel Logic Level MOSFET is an efficient solution for low voltage and battery powered applications. Utilizing Fairchild Max rDS(on) = 36m at VGS = 4.5V, ID = 5.3ASemiconductors advanced PowerTrench
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050