DC8550E Todos los transistores

 

DC8550E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DC8550E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
   Paquete / Cubierta: TO92

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DC8550E Datasheet (PDF)

 8.1. Size:64K  dc components
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DC8550E

DC COMPONENTS CO., LTD. DC8550 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation. TO-92 Pinning .190(4.83) 1 = Emitter .170(4.33) 2 = Base 2oTyp 3 = Collector .190(4.83) .170(4.33) 2oTyp Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .500 Characterist

 9.1. Size:279K  fairchild semi
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DC8550E

January 2008 FDC855N tm Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET 30V, 6.1A, 27m Features General Description Max rDS(on) = 27m at VGS = 10V, ID = 6.1A This N-Channel Logic Level MOSFET is an efficient solution for low voltage and battery powered applications. Utilizing Fairchild Max rDS(on) = 36m at VGS = 4.5V, ID = 5.3A Semiconductor s advanced PowerTrench

Otros transistores... CHT857BTPTS , CHT858BWPTQ , CHT858BWPTR , CHT858BWPTS , CHTA27XPT , DC8550B , DC8550C , DC8550D , 2N5401 , EB102 , FA1L3Z-L36 , FA1L3Z-L37 , FA1L3Z-L38 , KSC5802D , KTC601UY , NP061A3 , 2SD1710C .

History: MT3S41FS | MT4101 | ACY13 | DCX143TK | KRA730F | AC187

 

 
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