UNR221N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UNR221N  📄📄 

Código: EX

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SC59

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UNR221N datasheet

 8.1. Size:427K  panasonic
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UNR221N

Transistors with built-in Resistor UNR221x Series (UN221x Series) Silicon NPN epitaxial planar transistor Unit mm 0.40+0.10 0.05 For digital circuits 0.16+0.10 0.06 3 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. 1 2 Mini type package allowing easy automatic insertion through tape (0.95) (0.95) packing

Otros transistores... UNR2218, UNR2219, UNR221D, UNR221E, UNR221F, UNR221K, UNR221L, UNR221M, C945, UNR221T, UNR221V, UNR221Z, UNR5110, UNR5111, UNR5112, UNR5113, UNR5114