UNR221Z Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UNR221Z 📄📄
Código: FF
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: SC59
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UNR221Z datasheet
unr221x un221x series.pdf
Transistors with built-in Resistor UNR221x Series (UN221x Series) Silicon NPN epitaxial planar transistor Unit mm 0.40+0.10 0.05 For digital circuits 0.16+0.10 0.06 3 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. 1 2 Mini type package allowing easy automatic insertion through tape (0.95) (0.95) packing
Otros transistores... UNR221E, UNR221F, UNR221K, UNR221L, UNR221M, UNR221N, UNR221T, UNR221V, 2N3055, UNR5110, UNR5111, UNR5112, UNR5113, UNR5114, UNR5115, UNR5116, UNR5117
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: RN1505 | SUR529H | NB112EI | 2SC1376 | KRC841U | DTA044EEB | BC383B
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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