UNR511D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UNR511D 📄📄
Código: 6M
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 4.7
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 30
Encapsulados: SC70
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UNR511D datasheet
unr511x un511x series.pdf
Transistors with built-in Resistor UNR511x Series (UN511x Series) Silicon PNP epitaxial planar type Unit mm For digital circuits 0.15+0.10 0.3+0.1 0.05 0.0 3 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts 1 2 S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape/ magazine packing (0.65) (0.65)
Otros transistores... UNR5112, UNR5113, UNR5114, UNR5115, UNR5116, UNR5117, UNR5118, UNR5119, TIP3055, UNR511E, UNR511F, UNR511H, UNR511L, UNR511M, UNR511N, UNR511T, UNR511V
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 2SC4684
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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