FJP5027R Todos los transistores

 

FJP5027R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FJP5027R
   Código: J5027R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FJP5027R PDF detailed specifications

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FJP5027R

FJP5027 High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOA TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Curre... See More ⇒

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FJP5027R

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History: 2G374

 

 
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