3CD9B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CD9B
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO-3
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3CD9B datasheet
3cd9b.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistors 3CD9B DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )
Otros transistores... 2NC5566 , 2SA1012D , 2SC5200H , 2SD1286-Z , 2SD1804L-T , 2SD2901 , 2ST501T , 3CD9A , 13005 , 3CD9C , 3CD9D , 3CD9F , 3CF20D , 3DA98 , 3DA98J , 3DD100A , 3DD100B .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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