3CD9B - описание и поиск аналогов

 

3CD9B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CD9B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-3

 Аналоги (замена) для 3CD9B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD9B даташит

 ..1. Size:182K  inchange semiconductor
 3cd9b.pdf pdf_icon

3CD9B

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistors 3CD9B DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

Другие транзисторы: 2NC5566, 2SA1012D, 2SC5200H, 2SD1286-Z, 2SD1804L-T, 2SD2901, 2ST501T, 3CD9A, 13005, 3CD9C, 3CD9D, 3CD9F, 3CF20D, 3DA98, 3DA98J, 3DD100A, 3DD100B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.