3DD880X Todos los transistores

 

3DD880X . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD880X
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
   Paquete / Cubierta: TO-220C
 

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3DD880X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
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3DD880X

isc Silicon NPN Power Transistors 3DD880XDESCRIPTIONX: DC Current Gain -h = 55-75@ I = 0.5AFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR) CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

 8.1. Size:212K  inchange semiconductor
 3dd880.pdf pdf_icon

3DD880X

isc Silicon NPN Power Transistors 3DD880DESCRIPTIONDC Current Gain -h = 60-300@ I = 0.5AFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR) CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

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History: MA116 | FV3300 | 2N424-1 | KT626V

 

 
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