BU415 Todos los transistores

 

BU415 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU415
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W
   Tensión colector-base (Vcb): 800 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 4
   Paquete / Cubierta: TO-3
 

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BU415 datasheet

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
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BU415

isc Silicon NPN Power Transistor BU415 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltag- V = 400V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for TV horizontal output and high power switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Colle... See More ⇒

 0.1. Size:204K  inchange semiconductor
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BU415

isc Silicon NPN Power Transistor BU415B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltag- V = 400V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for TV horizontal output and high power switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Coll... See More ⇒

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