3CA168 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3CA168
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO3P

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3CA168

3CA168 Datasheet (PDF)

..1. Size:212K inchange semiconductor
3ca168.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 3CA168DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency power amplifier applicationsRecommend for 45-50W audio frequency amplifieroutput stage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING

9.1. Size:268K lzg
2sb1658 3ca1658.pdf

2SB1658(3CA1658) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency power amplifier and switching applications. : Features: Low saturation voltage, high DC current gain. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: FMMTA13

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: GN1A3Q | D965-KEHE | 2SD662B | 2SD661A | 2SC3080 | S9018L | S9012J | 2SA73L | 2SA73H | 2SA1015H | WT955 | TS13005CK | TP5001P3 | SS8550W-L | SS8550W-J | SS8550W-H | SS8550E | SS8550D | SS8550C | SS8050E | SS8050D