3CA168. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CA168

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для 3CA168

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CA168 даташит

 ..1. Size:212K  inchange semiconductor
 3ca168.pdf pdf_icon

3CA168

isc Silicon PNP Power Transistor 3CA168 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -120V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio frequency power amplifier applications Recommend for 45-50W audio frequency amplifier output stage applications ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 9.1. Size:268K  lzg
 2sb1658 3ca1658.pdf pdf_icon

3CA168

2SB1658(3CA1658) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio frequency power amplifier and switching applications. Features Low saturation voltage, high DC current gain. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit

Другие транзисторы: 2SD2422, 2SD2490, 2SD2524, 2SD2593, 2SD2633, 2SD476N, 2SD711, 2SD882U-P, 2SD669, 3DD102C, 3DD15B, 3DD15D, 3DD4515, BD134, BDY96D, BU2507AX, BU2507DX