3DD4515 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD4515

Código: D4515

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W

Tensión colector-base (Vcb): 700 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 8

Encapsulados: TO3P

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3DD4515 datasheet

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3DD4515

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3DD4515

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3DD4515

NPN R 3DD4515 A6 3DD4515 A6 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W

 ..4. Size:214K  inchange semiconductor
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3DD4515

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD4515 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.0V(Max) @I =10A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier,high speed switching and regulated power supply applications. ABS

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