3DD4515 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 3DD4515 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 3DD4515
   Маркировка: D4515
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO3P

Аналоги (замена) для 3DD4515

3DD4515 Datasheet (PDF)

..1. Size:647K jilin sino
3dd4515.pdf

NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R3DD4515 MAIN CHARACTERISTICS Package I 15A CV 400V CEOP (TO-3PN(B)/TO-247) 120W C APPLICATIONS Energy-saving ligh Electronic ballasts High frequency switching power

..2. Size:177K crhj
3dd4515 a1.pdf

NPN R 3DD4515 A1 3DD4515 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W

..3. Size:150K crhj
3dd4515 a6.pdf

NPN R 3DD4515 A6 3DD4515 A6 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W

..4. Size:214K inchange semiconductor
3dd4515.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD4515DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max) @I =10ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier,high speed switching andregulated power supply applications.ABS

0.1. Size:171K crhj
3dd4515a23.pdf