3DD4515. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD4515

Маркировка: D4515

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для 3DD4515

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD4515 даташит

 ..1. Size:647K  jilin sino
 3dd4515.pdf pdf_icon

3DD4515

 ..2. Size:177K  crhj
 3dd4515 a1.pdf pdf_icon

3DD4515

 ..3. Size:150K  crhj
 3dd4515 a6.pdf pdf_icon

3DD4515

NPN R 3DD4515 A6 3DD4515 A6 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W

 ..4. Size:214K  inchange semiconductor
 3dd4515.pdf pdf_icon

3DD4515

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD4515 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.0V(Max) @I =10A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier,high speed switching and regulated power supply applications. ABS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD2633, 2SD476N, 2SD711, 2SD882U-P, 3CA168, 3DD102C, 3DD15B, 3DD15D, 2N2907, BD134, BDY96D, BU2507AX, BU2507DX, BU2508AW, BU2508DW, BU2515AX, BU2520AW