BD134 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD134

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 13 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO126

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BD134 datasheet

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BD134

isc Silicon PNP Power Transistor BD134 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 40(Min)@ I = -0.15A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage - V = -45V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MA

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