BD134. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD134

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 13 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD134

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD134 даташит

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 bd134.pdf pdf_icon

BD134

isc Silicon PNP Power Transistor BD134 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 40(Min)@ I = -0.15A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage - V = -45V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MA

Другие транзисторы: 2SD476N, 2SD711, 2SD882U-P, 3CA168, 3DD102C, 3DD15B, 3DD15D, 3DD4515, MPSA42, BDY96D, BU2507AX, BU2507DX, BU2508AW, BU2508DW, BU2515AX, BU2520AW, BU2523AF