2N1306 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1306
Material: Ge
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 25 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO5
- Selección de transistores por parámetros
2N1306 Datasheet (PDF)
2n1302 2n1304 2n1306 2n1308.pdf

TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.comTMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com
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History: 2SC3603 | KT8143M | KSC900G | Q-00369C | BF883 | BDX54A | BLW48
History: 2SC3603 | KT8143M | KSC900G | Q-00369C | BF883 | BDX54A | BLW48



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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