3DA608 Todos los transistores

 

3DA608 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DA608
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO-3
 

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3DA608 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  china
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3DA608

3DA608 NPN A B C D E F PCM TC=25 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CEO ICE=10mA 30 50 80 100 150 200 V V(BR)EBO IEB=5mA 4.0 V VCE=10V VCE=20V VCE=30V ICEO 2.0 mA VCE=40V VCE=60V VCE=80V IC=5.0A VCEsat 1.0 V IB=0.5A VCE=3.

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
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3DA608

isc Silicon NPN Power Transistor 3DA608DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h : 20-180@I = 7.5AFE CExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as an output device in complementaryaudio amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT3DA608A 40

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History: LBC550

 

 
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