2T837G Todos los transistores

 

2T837G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2T837G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 70 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de 2T837G

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2T837G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  1
 2t837a 2t837b 2t837v 2t837g 2t837d 2t837e.pdf pdf_icon

2T837G

 9.1. Size:212K  inchange semiconductor
 2t837a.pdf pdf_icon

2T837G

isc Silicon PNP Power Transistor 2T837ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOWith TO-220 packagingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -

Otros transistores... TIP36AB , TIP36AT , UM8168L , SS8550-L , SS8550-H , SS8550-J , 2T837B , 2T837V , 2SA1015 , 2T837D , 2T837E , 9014M-B , 9014M-C , 9014M-D , 9015M-B , 9015M-C , 9015M-D .

History: 2SD1619S | BCW13K | BTC1510F3 | IR2000 | 2SD531-1 | CJF715 | BUY24

 

 
Back to Top

 


 
.