2T837G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2T837G  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 70 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO-220

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2T837G datasheet

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2T837G

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2T837G

isc Silicon PNP Power Transistor 2T837A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO With TO-220 packaging Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -

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