B647A-D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: B647A-D

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 190 V

Tensión colector-emisor (Vce): 165 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

Encapsulados: TO92L

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B647A-D datasheet

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B647A-D

2SB647(3CG647) 2SB647A(3CG647A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR , 2SD667(3DG667)/2SD667A(3DG667A) Purpose Low frequency power amplifier, complementary pair with 2SD667(3DG667) /2SD667A(3DG667A) /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V CBO -120 V 2SB647 -80

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B647A-D

2SB647(3CG647) 2SB647A(3CG647A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR , 2SD667(3DG667)/2SD667A(3DG667A) Purpose Low frequency power amplifier, complementary pair with 2SD667(3DG667) /2SD667A(3DG667A) /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V CBO -120 V 2SB647 -80

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B647A-D

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92MOD Plastic-Encapsulate Transistors J C T TO 92M TO 92MOD 2SB647/2SB647A TRANSISTOR (PNP) 1. COLLECTOR 1. EMITTER 2. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Low Frequency Power Amplifier 3. EMITTER Complementary Pair with 2SD667/A 3. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Va

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B647A-D

2SB647(A) Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92LM PNP Silicon PNP transistor in a TO-92LM Plastic Package. / Features 2SD667(A) Complementary pair with 2SD667(A). / Applications Low frequency power amplifier. / Equivalent Circuit / P

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