C945B-R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: C945B-R

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 70 V

Tensión colector-emisor (Vce): 52 V

Tensión emisor-base (Veb): 5.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: TO92

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C945B-R datasheet

 9.1. Size:272K  kec
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C945B-R

SEMICONDUCTOR KTC945B TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Excellent hFE Linearity. hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) N DIM MILLIMETERS Low Noise NF=1dB(Typ.). at f=1kHz A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX Complementary to KTA733B(O, Y, GR class). G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _ MA

 9.2. Size:66K  first silicon
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C945B-R

SEMICONDUCTOR FTC945B TECHNICAL DATA NPN TRANSISTOR B C FEATURE Excellent hFE linearity DIM MILLIMETERS Low noise A 4.70 MAX E B 4.80 MAX G Complementary to FTA733B C 3.70 MAX D D 0.55 MAX E 1.00 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) F 1.27 G 0.85 H 0.45 Symbol Parameter Value Units _ H J 14.00 + 0.50 L 2.30 F F VCBO Collector-Base Voltage 60 V

 9.3. Size:468K  feihonltd
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C945B-R

TRANSISTOR C945B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES IC 150mA Epitaxial silicon VCEO 52V High switching speed VCBO 70V RoHS RoHS product PC 400mW APPLICATIONS High frequency switch power supply Commonly power amplifier circuit High frequency po

Otros transistores... C9013-H-H, C9013-H-I, C945AF, C945AF-R, C945AF-Q, C945AF-P, C945AF-K, C945B, 13007, C945B-Q, C945B-P, C945B-K, D667A, D880A, D880A-O, D880A-Y, D880A-G