Справочник транзисторов. C945B-R

 

Биполярный транзистор C945B-R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: C945B-R
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 52 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

C945B-R Datasheet (PDF)

 9.1. Size:272K  kec
 ktc945b.pdf pdf_icon

C945B-R

SEMICONDUCTOR KTC945BTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.B CFEATURESExcellent hFE Linearity.: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.)N DIM MILLIMETERSLow Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHzA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXComplementary to KTA733B(O, Y, GR class). GC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00F 1.27G 0.85H 0.45_MA

 9.2. Size:66K  first silicon
 ftc945b.pdf pdf_icon

C945B-R

SEMICONDUCTORFTC945BTECHNICAL DATANPN TRANSISTOR B CFEATURE Excellent hFE linearity DIM MILLIMETERS Low noise A 4.70 MAXEB 4.80 MAXG Complementary to FTA733B C 3.70 MAXDD 0.55 MAXE 1.00MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) F 1.27G 0.85H 0.45Symbol Parameter Value Units_HJ 14.00 + 0.50L 2.30F FVCBO Collector-Base Voltage 60 V

 9.3. Size:468K  feihonltd
 c945b.pdf pdf_icon

C945B-R

TRANSISTOR C945B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES IC 150mA Epitaxial silicon VCEO 52V High switching speed VCBO 70V RoHS RoHS product PC 400mW APPLICATIONS High frequency switch power supply Commonly power amplifier circuit High frequency po

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: CMXT2207 | HA7631 | ZTX4403K

 

 
Back to Top

 


 
.