2SA119 Todos los transistores

 

2SA119 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA119

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.65 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO5

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2SA119 datasheet

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2SA119

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2SA119

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2SA119

2SA1193(K) Silicon PNP Epitaxial, Darlington Application High gain amplifier Outline TO-92MOD 2 3 1. Emitter 2. Collector 3. Base 1 3 2 1 2SA1193(K) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 60 V Collector to emitter voltage VCEO 60 V Emitter to base voltage VEBO 7 V Collector current IC 0.5 A Collector peak

Otros transistores... 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y , 2SA1187 , 2SA1188 , 2SA1189 , 13007 , 2SA1190 , 2SA1191 , 2SA1193 , 2SA1194 , 2SA1194K , 2SA1195 , 2SA1196 , 2SA1197 .

History: 2N5147 | 2SB1194 | ECG381 | BSV17-10 | ED1402D | 2N5625

 

 

 

 

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