2SA119 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA119  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA119

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA119 даташит

 0.1. Size:105K  1
 2sa1198s 2sa1199s.pdf pdf_icon

2SA119

 0.2. Size:126K  toshiba
 2sa1195.pdf pdf_icon

2SA119

 0.3. Size:118K  rohm
 2sa1199.pdf pdf_icon

2SA119

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 0.4. Size:34K  hitachi
 2sa1193.pdf pdf_icon

2SA119

2SA1193(K) Silicon PNP Epitaxial, Darlington Application High gain amplifier Outline TO-92MOD 2 3 1. Emitter 2. Collector 3. Base 1 3 2 1 2SA1193(K) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 60 V Collector to emitter voltage VCEO 60 V Emitter to base voltage VEBO 7 V Collector current IC 0.5 A Collector peak

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA1185, 2SA1186, 2SA1186O, 2SA1186P, 2SA1186Y, 2SA1187, 2SA1188, 2SA1189, 13007, 2SA1190, 2SA1191, 2SA1193, 2SA1194, 2SA1194K, 2SA1195, 2SA1196, 2SA1197