Справочник транзисторов. 2SA119

 

Биполярный транзистор 2SA119 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA119
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.65 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SA119 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:105K  1
2sa1198s 2sa1199s.pdfpdf_icon

2SA119

 0.2. Size:126K  toshiba
2sa1195.pdfpdf_icon

2SA119

 0.3. Size:118K  rohm
2sa1199.pdfpdf_icon

2SA119

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 0.4. Size:34K  hitachi
2sa1193.pdfpdf_icon

2SA119

2SA1193(K)Silicon PNP Epitaxial, DarlingtonApplicationHigh gain amplifierOutlineTO-92MOD231. Emitter2. Collector3. Base13212SA1193(K)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60 VCollector to emitter voltage VCEO 60 VEmitter to base voltage VEBO 7 VCollector current IC 0.5 ACollector peak

Другие транзисторы... 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y , 2SA1187 , 2SA1188 , 2SA1189 , TIP42C , 2SA1190 , 2SA1191 , 2SA1193 , 2SA1194 , 2SA1194K , 2SA1195 , 2SA1196 , 2SA1197 .

 

 
Back to Top

 


 
.