2SA1199S Todos los transistores

 

2SA1199S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1199S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 27 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SPT
 

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2SA1199S Datasheet (PDF)

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2SA1199S

2SA1193(K)Silicon PNP Epitaxial, DarlingtonApplicationHigh gain amplifierOutlineTO-92MOD231. Emitter2. Collector3. Base13212SA1193(K)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60 VCollector to emitter voltage VCEO 60 VEmitter to base voltage VEBO 7 VCollector current IC 0.5 ACollector peak

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