2SA1199S Todos los transistores

 

2SA1199S Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA1199S

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 27 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SPT

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2SA1199S datasheet

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2SA1199S

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2SA1199S

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2SA1199S

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2SA1199S

2SA1193(K) Silicon PNP Epitaxial, Darlington Application High gain amplifier Outline TO-92MOD 2 3 1. Emitter 2. Collector 3. Base 1 3 2 1 2SA1193(K) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 60 V Collector to emitter voltage VCEO 60 V Emitter to base voltage VEBO 7 V Collector current IC 0.5 A Collector peak

Otros transistores... 2SA1194 , 2SA1194K , 2SA1195 , 2SA1196 , 2SA1197 , 2SA1198 , 2SA1198S , 2SA1199 , 13003 , 2SA12 , 2SA120 , 2SA1200 , 2SA1201 , 2SA1202 , 2SA1203 , 2SA1204 , 2SA1205 .

History: 2SB1201S | BTNA14A3

 

 

 

 

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