MMDT9014 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMDT9014
Código: TGL6
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 300
Encapsulados: SOT363
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MMDT9014 datasheet
mmdt9014.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors MMDT9014 DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) SOT-363 FEATURES Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available(MMDT9015) Ideal for Medium Power Amplification and Switching MARKING TGL6 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-
mmdt9014dw.pdf
Plastic-Encapsulate Transistors DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) 6 FEATURES 5 4 Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available(MMDT9015 ) DW 1 2 Ideal for Medium Power Amplification and Switching 3 MARKING TGL6 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector- Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltag
mmdt9015.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-363 MMDT9015 TRANSISTOR (PNP) FEATURES Complementary to MMDT9014 MARKING TGM6 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -50 V V Collector-Emitter Voltage -45 V CEO V Emitter-Base Voltage -5 V EBO I Collector Curr
Otros transistores... AD-MMBT5551 , AD-MMBTA28 , AD-MMBTA56 , AD-SS8550-L , AD-SS8550-H , AD-SS8550-J , CJ2045 , MMBT2222AM , S9018 , MMDT9015 , TK3904LED03 , S8550L , S8550H , JZT955 , 2SC3356-R25 , 2SB772SQ , 2SD882SQ .
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