K8550S-D Todos los transistores

 

K8550S-D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: K8550S-D
   Código: KV9
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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K8550S-D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:982K  kodenshi
 k8550s.pdf pdf_icon

K8550S-D

K8550S PNP Silicon Transistor Descriptions PIN Connection General purpose Bipolar Transistor Features Large collector current Suitable for low-Voltage operation because of Its low saturation voltage Complementary pair with K8050S Ordering Information Type NO. Marking Package Code KV K8550S SOT-23 Device Code HFE Grade

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History: EMT2 | TMPC1009F2

 

 
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