NSVS50030SB3 Todos los transistores

 

NSVS50030SB3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NSVS50030SB3
   Código: HAE*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 360(typ) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 24 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: CPH3
 

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NSVS50030SB3 Datasheet (PDF)

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NSVS50030SB3

NSVS50030SB3,NSVS50031SB3Bipolar Transistor (-)50 V,(-)3 A, Low VCE(sat),(PNP)NPN Singlewww.onsemi.comThis device is bipolar junction transistor featuring high current, lowsaturation voltage, and high speed switching.ELECTRICAL CONNECTIONSuitable for motor driver, relay driver, DC-DC converter ofautomotive applications. AEC-Q101qualified and PPAP capable.3 3Features1 1

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NSVS50030SB3

NSVS50030SB3,NSVS50031SB3Bipolar Transistor (-)50 V,(-)3 A, Low VCE(sat),(PNP)NPN Singlewww.onsemi.comThis device is bipolar junction transistor featuring high current, lowsaturation voltage, and high speed switching.ELECTRICAL CONNECTIONSuitable for motor driver, relay driver, DC-DC converter ofautomotive applications. AEC-Q101qualified and PPAP capable.3 3Features1 1

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