NSVS50030SB3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NSVS50030SB3

Código: HAE*

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 360 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 24 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: CPH3

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NSVS50030SB3 datasheet

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NSVS50030SB3

NSVS50030SB3, NSVS50031SB3 Bipolar Transistor (-)50 V, (-)3 A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single www.onsemi.com This device is bipolar junction transistor featuring high current, low saturation voltage, and high speed switching. ELECTRICAL CONNECTION Suitable for motor driver, relay driver, DC-DC converter of automotive applications. AEC-Q101qualified and PPAP capable. 3 3 Features 1 1

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NSVS50030SB3

NSVS50030SB3, NSVS50031SB3 Bipolar Transistor (-)50 V, (-)3 A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single www.onsemi.com This device is bipolar junction transistor featuring high current, low saturation voltage, and high speed switching. ELECTRICAL CONNECTION Suitable for motor driver, relay driver, DC-DC converter of automotive applications. AEC-Q101qualified and PPAP capable. 3 3 Features 1 1

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