NSVUMC2NT1G Todos los transistores

 

NSVUMC2NT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NSVUMC2NT1G
   Código: U2*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: SOT353

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NSVUMC2NT1G Datasheet (PDF)

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UMC2NT1G,NSVUMC2NT1G,UMC3NT1G,NSVUMC3NT1G,UMC5NT1G,NSVUMC5NT2Ghttp://onsemi.comDual CommonBase-Collector BiasResistor TransistorsSC-88A/SOT-353CASE 419ANPN and PNP Silicon Surface MountSTYLE 6Transistors with Monolithic BiasResistor Network 312R1R2The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor witha monolithic bias network consisting of t

 9.1. Size:135K  onsemi
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UMZ1NT1GComplementary DualGeneral PurposeAmplifier TransistorPNP and NPN Surface Mountwww.onsemi.comFeatures High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA(6) (5) (4) High hFE: hFE = 200X400 Moisture Sensitivity Level: 1 ESD Rating - Human Body Model: 3AQ1 Q2ESD Rating - Machine Model: C NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiri

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
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