UP3855 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UP3855
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 120(typ) MHz
Capacitancia de salida (Cc): 33 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SOT-89 SOT-223
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UP3855 Datasheet (PDF)
up3855.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP3855 PNP SILICON TRANSISTOR PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR 1 DESCRIPTION SOT-223The UTC UP3855 is a transistor with low saturation voltage. It provides customers with very low on-state losses that makes it ideal for applications, such as driving and power management functions and DC-DC circuits. 1 FEATURES SOT-89* Ex
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History: 2SB1100 | 2SC3319 | M1 | 3DD4243DM | 2SB382 | 2SC1623L6-T3 | RN2907FS
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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