UP3855 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: UP3855 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 typ MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 33 pf
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для UP3855
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
UP3855 даташит
up3855.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP3855 PNP SILICON TRANSISTOR PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR 1 DESCRIPTION SOT-223 The UTC UP3855 is a transistor with low saturation voltage. It provides customers with very low on-state losses that makes it ideal for applications, such as driving and power management functions and DC-DC circuits. 1 FEATURES SOT-89 * Ex
Другие транзисторы: S9013-MS, S9014-MS, S9015-MS, S9018-MS, SS8050-MS, SS8550-MS, S2000AFI, UB1580, 2SD882, 2SC1623L4-T3, 2SC1623L5-T3, 2SC1623L6-T3, 2SC1623L7-T3, D882-R-TE3B, D882-R-TD3T, D882-R-TC2R, D882-R-T89R
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: MJE13002F2 | 2SD1616AG | 2N3126
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor

