Биполярный транзистор UP3855 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UP3855
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 33 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-89 SOT-223
UP3855 Datasheet (PDF)
up3855.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP3855 PNP SILICON TRANSISTOR PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR 1 DESCRIPTION SOT-223The UTC UP3855 is a transistor with low saturation voltage. It provides customers with very low on-state losses that makes it ideal for applications, such as driving and power management functions and DC-DC circuits. 1 FEATURES SOT-89* Ex
Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , 2SA1943 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: ST2SD1664U-R | ST2SD1664U-Q | ST2SD1664U-P | MMBTSC945Y | MMBTSC945R | MMBTSC945P | MMBTSC945O | MMBTSC945L | MMBTSC4098W | MMBTSC3356S | MMBTSC3356R | MMBTSC3356Q | MMBTSC1815Y | MMBTSC1815O | MMBTSC1815L | MMBTSC1815G | MMBTSC1623Y | MMBTSC1623O | MMBTSC1623L | MMBTSC1623G | MMBTSA812Y